Numéro de produit du fabricant:
PSMN3R9-100YSFX
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN3R9-100YSFX-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 100 V 120A (Ta) 245W (Ta) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Inventaire:
15186 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13140453
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SOUMETTRE
PSMN3R9-100YSFX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7360 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
245W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56; Power-SO8
Emballage / Caisse
SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base
PSMN3R9
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
934660621115
1727-PSMN3R9-100YSFXTR
1727-PSMN3R9-100YSFXDKR
1727-PSMN3R9-100YSFXCT
5202-PSMN3R9-100YSFXTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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