Numéro de produit du fabricant:
PSMN2R0-30YLE,115
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN2R0-30YLE,115-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventaire:
5499 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12826576
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SOUMETTRE
PSMN2R0-30YLE,115 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5217 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
272W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
PSMN2R0
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
1727-1130-6
568-10285-1
568-10285-2
PSMN2R0-30YLE,115-DG
1727-1130-2
568-10285-6
568-10285-6-DG
568-10285-2-DG
934066896115
1727-1130-1
568-10285-1-DG
5202-PSMN2R0-30YLE,115TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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