PSMN2R0-30YLDX
Numéro de produit du fabricant:

PSMN2R0-30YLDX

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PSMN2R0-30YLDX-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventaire:

7473 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12832648
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SOUMETTRE

PSMN2R0-30YLDX Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2969 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
142W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
PSMN2R0

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
1727-2218-2
568-12472-6-DG
568-12472-1
568-12472-2
1727-2218-1
568-12472-1-DG
568-12472-2-DG
PSMN2R0-30YLDX-DG
5202-PSMN2R0-30YLDXTR
1727-2218-6
934067964115
PSMN2R0-30YLD,115
568-12472-6

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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