PSMN1R8-30PL,127
Numéro de produit du fabricant:

PSMN1R8-30PL,127

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PSMN1R8-30PL,127-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

4946 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12907235
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SOUMETTRE

PSMN1R8-30PL,127 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10180 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
PSMN1R8

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
NEXNXPPSMN1R8-30PL,127
568-5234
5202-PSMN1R8-30PL,127TR
2156-PSMN1R8-30PL,127-NEX
568-5234-DG
568-5234-5
568-5234-5-DG
934064002127
PSMN1R830PL127
1727-4388

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRLB3813PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
5741
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLB3813PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.70
TYPE DE SUBSTITUT
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