PSMN1R7-30YL,115
Numéro de produit du fabricant:

PSMN1R7-30YL,115

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PSMN1R7-30YL,115-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventaire:

2587 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12827319
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SOUMETTRE

PSMN1R7-30YL,115 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
77.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5057 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
109W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
PSMN1R7

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
934063068115
568-4678-1-DG
PSMN1R730YL115
568-4678-2-DG
5202-PSMN1R7-30YL,115TR
1727-4162-6
568-4678-6-DG
1727-4162-2
568-4678-6
568-4678-1
568-4678-2
PSMN1R7-30YL T/R
1727-4162-1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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