PSMN1R0-40YSHX
Numéro de produit du fabricant:

PSMN1R0-40YSHX

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PSMN1R0-40YSHX-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 290A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 40 V 290A (Ta) 333W (Ta) Surface Mount LFPAK56; Power-SO8

Inventaire:

5856 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12831644
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SOUMETTRE

PSMN1R0-40YSHX Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
290A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9433 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max.)
333W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56; Power-SO8
Emballage / Caisse
SOT-1023, 4-LFPAK
Numéro de produit de base
PSMN1R0

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
934660722115
1727-8709-6
5202-PSMN1R0-40YSHXTR
1727-8709-2
1727-8709-1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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