PSMN012-60YS,115
Numéro de produit du fabricant:

PSMN012-60YS,115

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PSMN012-60YS,115-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 60 V 59A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventaire:

4115 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12830838
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SOUMETTRE

PSMN012-60YS,115 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
59A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1685 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
PSMN012

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,500
Autres noms
568-4977-1-DG
1727-4288-6
568-4977-6
568-4977-2-DG
568-4977-2
568-4977-6-DG
568-4977-1
5202-PSMN012-60YS,115TR
934064401115
1727-4288-2
1727-4288-1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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