Numéro de produit du fabricant:
PSMN012-100YLX
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PSMN012-100YLX-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
Description détaillée:
N-Channel 100 V 85A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventaire:
12831686
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SOUMETTRE
PSMN012-100YLX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
85A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7973 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
238W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LFPAK56, Power-SO8
Emballage / Caisse
SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base
PSMN012
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
934069903115
5202-PSMN012-100YLXTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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