Numéro de produit du fabricant:
PMXB65UPEZ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMXB65UPEZ-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Description détaillée:
P-Channel 12 V 3.2A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Inventaire:
70811 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12831722
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PMXB65UPEZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
634 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1010D-3
Emballage / Caisse
3-XDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
PMXB65
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
1727-2177-2
1727-2177-1
568-12342-1-DG
1727-2177-6
568-12342-2-DG
PMXB65UPEZ-DG
934067151147
568-12342-6
568-12342-6-DG
568-12342-1
568-12342-2
5202-PMXB65UPEZTR
PMXB65UPE,147
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK7909-75AIE,127
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-5
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
PSMN015-100B,118
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
