PMV65UNEAR
Numéro de produit du fabricant:

PMV65UNEAR

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PMV65UNEAR-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Description détaillée:
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount TO-236AB

Inventaire:

12833944
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SOUMETTRE

PMV65UNEAR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
73mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
291 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
940mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q100
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
PMV65

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
PMV65UNEAR-DG
5202-PMV65UNEARTR
1727-8342-1
1727-8342-2
1727-8342-6
934070691215

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
MGSF2N02ELT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
38920
NUMÉRO DE PIÈCE
MGSF2N02ELT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.09
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