Numéro de produit du fabricant:
PMV32UP/MIR
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMV32UP/MIR-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventaire:
12832979
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SOUMETTRE
PMV32UP/MIR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1890 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
934068502215
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2399DS-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
7732
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2399DS-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.13
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PRIX UNITAIRE
0.15
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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