Numéro de produit du fabricant:
PMV160UPVL
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMV160UPVL-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
Description détaillée:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 335mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventaire:
12828941
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SOUMETTRE
PMV160UPVL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
210mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
365 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
335mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
PMV160
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
5202-PMV160UPVLTR
2156-PMV160UPVL-NEX
934064761235
NEXNEXPMV160UPVL
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTR1P02LT3G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
19457
NUMÉRO DE PIÈCE
NTR1P02LT3G-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
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