Numéro de produit du fabricant:
PMV130ENEA/DG/B2R
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMV130ENEA/DG/B2R-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Description détaillée:
N-Channel 40 V 2.1A (Ta) 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventaire:
12832532
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PMV130ENEA/DG/B2R Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
170 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
934068781215
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PMV130ENEAR
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
12990
NUMÉRO DE PIÈCE
PMV130ENEAR-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK9Y22-100E,115
MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
PMV30XPEAR
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
3LP01C-TB-H
MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
