Numéro de produit du fabricant:
PMPB11R2VPX
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMPB11R2VPX-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6
Description détaillée:
P-Channel 12 V 9.7A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventaire:
12979587
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SOUMETTRE
PMPB11R2VPX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2230 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN2020MD-6
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
PMPB11
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
5202-PMPB11R2VPXTR
1727-PMPB11R2VPXDKR
1727-PMPB11R2VPXCT
934662027115
1727-PMPB11R2VPXTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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