Numéro de produit du fabricant:
PMN25ENEX
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PMN25ENEX-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Description détaillée:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12829855
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
PMN25ENEX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
24mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
597 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-TSOP
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Numéro de produit de base
PMN25
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
PMN25ENEX-DG
1727-PMN25ENEXTR
1727-PMN25ENEXCT
1727-PMN25ENEXDKR
5202-PMN25ENEXTR
934660264115
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK9606-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BUK9514-55A,127
MOSFET N-CH 55V 73A TO220AB
PSMN1R5-40PS,127
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
