Numéro de produit du fabricant:
PHB110NQ08T,118
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PHB110NQ08T,118-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12830798
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SOUMETTRE
PHB110NQ08T,118 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
113.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4860 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
230W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
PHB110NQ08T,118-DG
1727-5266-6
568-6591-6-DG
1727-5266-2
1727-5266-1
PHB110NQ08T118
934058279118
568-6591-2-DG
568-6591-1
PHB110NQ08T /T3
568-6591-1-DG
568-6591-2
5202-PHB110NQ08T,118TR
PHB110NQ08T /T3-DG
568-6591-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF2807ZSTRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
139
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
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