PDTD123YT/APGR
Numéro de produit du fabricant:

PDTD123YT/APGR

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PDTD123YT/APGR-DG

Description:

TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB

Inventaire:

12987304
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SOUMETTRE

PDTD123YT/APGR Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
PDTD123Y
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
500 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
2.2 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
250 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Numéro de produit de base
PDTD123

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1
Autres noms
1727-PDTD123YT/APGR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
OBSOLETE

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
PDTD123YT,215
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
182504
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTD123YT,215-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

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