Numéro de produit du fabricant:
PDTC115EMB,315
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PDTC115EMB,315-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.02A 3DFN
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 20 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventaire:
12832047
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SOUMETTRE
PDTC115EMB,315 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
20 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
100 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
100 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Fréquence - Transition
230 MHz
Puissance - Max
250 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q100
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1006B-3
Numéro de produit de base
PDTC115
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
5202-PDTC115EMB,315TR
934065953315
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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