PDTA115EMB,315
Numéro de produit du fabricant:

PDTA115EMB,315

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PDTA115EMB,315-DG

Description:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

Inventaire:

12827877
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SOUMETTRE

PDTA115EMB,315 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
20 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
100 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
100 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Fréquence - Transition
180 MHz
Puissance - Max
250 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q100
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1006B-3
Numéro de produit de base
PDTA115

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000
Autres noms
934065934315
5202-PDTA115EMB,315TR
2156-PDTA115EMB,315-1727

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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