Numéro de produit du fabricant:
PDTA114TMB,315
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
PDTA114TMB,315-DG
Description:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventaire:
12830393
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SOUMETTRE
PDTA114TMB,315 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Fréquence - Transition
180 MHz
Puissance - Max
250 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q100
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1006B-3
Numéro de produit de base
PDTA114
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
NEXNEXPDTA114TMB,315
934065921315
2156-PDTA114TMB,315-NEX
2156-PDTA114TMB,315
5202-PDTA114TMB,315TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2111ACT(TPL3)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
10000
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2111ACT(TPL3)-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
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