Numéro de produit du fabricant:
GAN041-650WSBQ
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GAN041-650WSBQ-DG
Description:
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 47.2A 187W Through Hole TO-247-3
Inventaire:
296 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12958427
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
GAN041-650WSBQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47.2A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
187W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Présentation du produit
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
1727-GAN041-650WSBQ
5202-GAN041-650WSBQTR
934661752127
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FDD8896-G
MOSFET N-CH 30V TO252AA
FDC655BN-F40
MOSFET N-CH 30V
BSP135IXTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
