Numéro de produit du fabricant:
BUK9E06-55B,127
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK9E06-55B,127-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 258W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
12832173
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SOUMETTRE
BUK9E06-55B,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7565 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
258W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
BUK9E06-55B
1727-5270
568-6638-5
568-6638-5-DG
568-6638
934057313127
568-6638-DG
BUK9E06-55B-DG
BUK9E06-55B,127-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF3205ZLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3938
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF3205ZLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.67
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500
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PRIX UNITAIRE
0.80
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PRIX UNITAIRE
0.83
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