Numéro de produit du fabricant:
BUK7C08-55AITE,118
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK7C08-55AITE,118-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
12830319
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SOUMETTRE
BUK7C08-55AITE,118 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Current Sensing
Dissipation de puissance (max.)
272W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
BUK7C08-55AITE /T3-DG
BUK7C08-55AITE /T3
934057948118
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB180N06S4H1ATMA2
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
6672
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
PRIX UNITAIRE
1.78
TYPE DE SUBSTITUT
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