Numéro de produit du fabricant:
BUK755R4-100E,127
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK755R4-100E,127-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12827509
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SOUMETTRE
BUK755R4-100E,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11810 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
349W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
568-9845-5
BUK755R4100E127
5202-BUK755R4-100E,127TR
568-9845-5-DG
934066483127
1727-7238
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB4110PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
6327
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB4110PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.96
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PRIX UNITAIRE
1.56
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PRIX UNITAIRE
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