Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
BUK6E2R0-30C,127
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUK6E2R0-30C,127-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12831451
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BUK6E2R0-30C,127 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
229 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14964 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
306W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
BUK6E2R0-30C,127-DG
Fiches techniques
BUK6E2R0-30C,127
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
BUK6E2R0-30C,127-DG
568-7503-5-DG
568-7503-5
934064471127
1727-5886
BUK6E2R030C127
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI120N04S401AKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
235
NUMÉRO DE PIÈCE
IPI120N04S401AKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.52
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
PSMN1R4-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
PSMN3R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BUK6D230-80EX
MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
BUK764R4-60E,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK