BST82,215
Numéro de produit du fabricant:

BST82,215

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BST82,215-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Description détaillée:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventaire:

47865 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12829235
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SOUMETTRE

BST82,215 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
40 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
830mW (Tc)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BST82

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
5202-BST82,215TR
568-6229-6-DG
568-6229-2
568-6229-2-DG
BST82 T/R
568-6229-1
568-6229-1-DG
1727-4937-2
1727-4937-6
BST82,215-DG
1727-4937-1
BST82 T/R-DG
933733110215
568-6229-6

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
ZVN3310FTA
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
6862
NUMÉRO DE PIÈCE
ZVN3310FTA-DG
PRIX UNITAIRE
0.19
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
BSS123LT1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
217861
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS123LT1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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