Numéro de produit du fabricant:
BSH111BKR
Product Overview
Fabricant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSH111BKR-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Description détaillée:
N-Channel 55 V 210mA (Ta) 302mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventaire:
24240 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12830749
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SOUMETTRE
BSH111BKR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
210mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
4Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
30 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
302mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSH111
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
568-12637-2
568-12637-6-DG
568-12637-6
1727-2340-6
2156-BSH111BKRTR
568-12637-2-DG
5202-BSH111BKRTR
1727-2340-2
934068056215
1727-2340-1
568-12637-1-DG
568-12637-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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