Numéro de produit du fabricant:
AN1L3N
Product Overview
Fabricant:
NEC Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AN1L3N-DG
Description:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A TO92
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Through Hole TO-92
Inventaire:
56894 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12931581
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SOUMETTRE
AN1L3N Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
4.7 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Puissance - Max
250 mW
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,159
Autres noms
RENNECAN1L3N
2156-AN1L3N
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
