Numéro de produit du fabricant:

JANSR2N7381

Product Overview

Fabricant:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

JANSR2N7381-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257

Description détaillée:

N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257

Inventaire:

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13253619

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SOUMETTRE

JANSR2N7381 Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Microsemi

Emballage

-

Série

-

État du produit

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

200 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

9.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

12V

rds activé (max) @ id, vgs

490mOhm @ 9.4A, 12V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50 nC @ 12 V

Vgs (max.)

±20V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

2W (Ta), 75W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grade

Military

Qualification

MIL-PRF-19500/614

Type de montage

Through Hole

Ensemble d’appareils du fournisseur

TO-257

Emballage / Caisse

TO-257-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

1

Autres noms

JANSR2N7381-ND

150-JANSR2N7381

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

Not Applicable

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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