Numéro de produit du fabricant:
JAN2N7334
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
JAN2N7334-DG
Description:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Description détaillée:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Inventaire:
12929658
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
JAN2N7334 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
4 N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
100V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A
rds activé (max) @ id, vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
1.4W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/597
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Ensemble d’appareils du fournisseur
MO-036AB
Numéro de produit de base
2N733
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SP8M3FU7TB1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
NDS9957
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
