Numéro de produit du fabricant:
JAN2N6898
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
JAN2N6898-DG
Description:
MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Description détaillée:
P-Channel 100 V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Inventaire:
12924614
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SOUMETTRE
JAN2N6898 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
200mOhm @ 15.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Military
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3
Emballage / Caisse
TO-204AA, TO-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
5
Autres noms
150-JAN2N6898
JAN2N6898-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
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