Numéro de produit du fabricant:
APTC90DAM60T1G
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APTC90DAM60T1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Description détaillée:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventaire:
13261068
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SOUMETTRE
APTC90DAM60T1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
59A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13600 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
462W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SP1
Emballage / Caisse
SP1
Informations supplémentaires
Forfait standard
100
Autres noms
APTC90DAM60T1G-ND
150-APTC90DAM60T1G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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