Numéro de produit du fabricant:

APTC90DAM60CT1G

Product Overview

Fabricant:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

APTC90DAM60CT1G-DG

Description:

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Description détaillée:

N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1

Inventaire:

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SOUMETTRE

APTC90DAM60CT1G Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Microsemi

Emballage

-

Série

CoolMOS™

État du produit

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

900 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

59A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

rds activé (max) @ id, vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 6mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

540 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

13600 pF @ 100 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

462W (Tc)

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Chassis Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur

SP1

Emballage / Caisse

SP1

Informations supplémentaires

Forfait standard

100

Autres noms

APTC90DAM60CT1G-ND

150-APTC90DAM60CT1G

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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