Numéro de produit du fabricant:
APT9F100S
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT9F100S-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3PAK
Inventaire:
13258669
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SOUMETTRE
APT9F100S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
POWER MOS 8™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.6Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2606 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
337W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D3Pak
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
APT9F100S-ND
150-APT9F100S
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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