Numéro de produit du fabricant:
APT80SM120B
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT80SM120B-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
13261717
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SOUMETTRE
APT80SM120B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
555W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
APT80SM120B-ND
150-APT80SM120B
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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