APT50M80B2VRG
Numéro de produit du fabricant:

APT50M80B2VRG

Product Overview

Fabricant:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

APT50M80B2VRG-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Description détaillée:
N-Channel 500 V 58A (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventaire:

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SOUMETTRE

APT50M80B2VRG Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
POWER MOS V®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
80mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
423 nC @ 10 V
Vgs (max.)
-
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8797 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
T-MAX™ [B2]
Emballage / Caisse
TO-247-3 Variant

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
APT50M80B2VRG-ND
150-APT50M80B2VRG

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX78N50P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX78N50P3-DG
PRIX UNITAIRE
8.02
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
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