Numéro de produit du fabricant:
APT35SM70B
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT35SM70B-DG
Description:
SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
13253326
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SOUMETTRE
APT35SM70B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
145mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1035 pF @ 700 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
176W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
APT35SM70B-ND
150-APT35SM70B
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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