Numéro de produit du fabricant:
APT30N60KC6
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT30N60KC6-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventaire:
13257475
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SOUMETTRE
APT30N60KC6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 960µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2267 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
219W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 [K]
Emballage / Caisse
TO-220-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
APT30N60KC6-ND
150-APT30N60KC6
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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