Numéro de produit du fabricant:
APT25SM120S
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
APT25SM120S-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 25A D3
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3
Inventaire:
13261334
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SOUMETTRE
APT25SM120S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
175mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
175W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D3
Emballage / Caisse
D-3 Module
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
APT25SM120S-ND
150-APT25SM120S
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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