Numéro de produit du fabricant:
2N5011
Product Overview
Fabricant:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N5011-DG
Description:
NPN SILICON TRANSISTOR
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
Inventaire:
13251752
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
2N5011 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Microsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
200 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
600 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
10nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 25mA, 10V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-5AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
150-2N5011
2N5011-ND
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
2N6678T1
NPN TRANSISTOR
2N6546
TRANS NPN 300V 15A TO204AD
2N6318
TRANS PNP 80V 0.002A TO66
