VP2206N2
Numéro de produit du fabricant:

VP2206N2

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

VP2206N2-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 750MA TO39
Description détaillée:
P-Channel 60 V 750mA (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39

Inventaire:

964 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12811135
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

VP2206N2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
750mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 10mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
450 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39
Emballage / Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Numéro de produit de base
VP2206

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
nxp-semiconductors

PMR370XN,115

MOSFET N-CH 30V 840MA SC75

microchip-technology

VN0808L-G

MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3

microchip-technology

TP2502N8-G

MOSFET P-CH 20V 630MA TO243AA

nxp-semiconductors

PMR400UN,115

MOSFET N-CH 30V 800MA SC75