Numéro de produit du fabricant:
VN1206L-G-P002
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
VN1206L-G-P002-DG
Description:
MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 120 V 230mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
12863079
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SOUMETTRE
VN1206L-G-P002 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
230mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
125 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
VN1206
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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