Numéro de produit du fabricant:
TP2635N3-G
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP2635N3-G-DG
Description:
MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Description détaillée:
P-Channel 350 V 180mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
376 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12810010
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SOUMETTRE
TP2635N3-G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
350 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
15Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numéro de produit de base
TP2635
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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