TP2535N3-G
Numéro de produit du fabricant:

TP2535N3-G

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TP2535N3-G-DG

Description:

MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3
Description détaillée:
P-Channel 350 V 86mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventaire:

697 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12868564
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

TP2535N3-G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
350 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
86mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
25Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
125 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
740mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numéro de produit de base
TP2535

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
micro-commercial-components

BSS123-TP

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23

vishay-siliconix

IRF540SPBF

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP31N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3

vishay-siliconix

IRF830ASPBF

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK