TN2510N8-G
Numéro de produit du fabricant:

TN2510N8-G

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TN2510N8-G-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Description détaillée:
N-Channel 100 V 730mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)

Inventaire:

2206 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12808668
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

TN2510N8-G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
730mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
125 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-243AA (SOT-89)
Emballage / Caisse
TO-243AA
Numéro de produit de base
TN2510

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
TN2510N8-G-DG
TN2510N8-GCT
TN2510N8-GTR
TN2510N8-GDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IRL60SL216

MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3

infineon-technologies

IPS040N03LGBKMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3

infineon-technologies

IRLR3705Z

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

infineon-technologies

IRF7403TR

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO