TN2130K1-G
Numéro de produit du fabricant:

TN2130K1-G

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TN2130K1-G-DG

Description:

MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Description détaillée:
N-Channel 300 V 85mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)

Inventaire:

5945 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12810712
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SOUMETTRE

TN2130K1-G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
85mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
25Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB (SOT23)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
TN2130

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Assemblage/origine PCN

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
TN2130K1-GTR
TN2130K1-G-DG
TN2130K1-GCT
TN2130K1-GDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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