MSC180SMA120S
Numéro de produit du fabricant:

MSC180SMA120S

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

MSC180SMA120S-DG

Description:

MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D3PAK

Inventaire:

190 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12939525
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SOUMETTRE

MSC180SMA120S Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
225mOhm @ 8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.26V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+23V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
510 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D3Pak
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
MSC180

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
150-MSC180SMA120S

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

XPN9R614MC,L1XHQ

MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

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IRF7455TRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

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MSC100SM70JCU2

SICFET N-CH 700V 124A SOT227