Numéro de produit du fabricant:
MSC080SMA120B
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MSC080SMA120B-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
143 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13251316
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
MSC080SMA120B Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+23V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
838 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
MSC080
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
APT8056BVRG
MOSFET N-CH 800V 16A TO247
APT30M40JVFR
MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP
APT34F100L
MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
