Numéro de produit du fabricant:
JANS2N3507L
Product Overview
Fabricant:
Microchip Technology
DiGi Electronics Numéro de pièce:
JANS2N3507L-DG
Description:
POWER BJT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA
Inventaire:
13000821
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SOUMETTRE
JANS2N3507L Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
3 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
35 @ 500mA, 1V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/349
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-5AA
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
150-JANS2N3507L
Classification environnementale et d'exportation
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
BC856A
SOT-23, -80V, -0.1A, PNP BIPOLAR
BCP5316QTA
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
FCX493QTA
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT89 T&R
