JANKCBM2N3439
Numéro de produit du fabricant:

JANKCBM2N3439

Product Overview

Fabricant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

JANKCBM2N3439-DG

Description:

RH POWER BJT
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Inventaire:

12987018
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SOUMETTRE

JANKCBM2N3439 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Microchip Technology
Emballage
-
Série
Military, MIL-PRF-19500/368
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
2µA
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
40 @ 20mA, 10V
Puissance - Max
800 mW
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-39 (TO-205AD)

Informations supplémentaires

Forfait standard
100
Autres noms
150-JANKCBM2N3439

Classification environnementale et d'exportation

Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
microchip-technology

2N5487-1

POWER BJT

microchip-technology

2N5682E4

POWER BJT

diodes

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BC846BQBZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK